第1章　氮化物發光二極體磊晶製作技術1-1　前言 1-21-2　MOCVD的化學反應 1-41-3　基板 1-61-4　GaN材料 1-81-5　p-GaN材料 1-101-6　氮化銦鎵／氮化鎵(InGaN/GaN)材料 1-12第2章　高亮度AlGaInP四元化合物發光二極體磊晶製作技術2-1　前言 2-22-2　化合物半導體材料系統 2-22-3　AlGaInP的磊晶成長 2-62-3-1　 前趨物(precursors)的選擇 2-62-3-2　 AlGaInP的MOCVD磊晶成長條件 2-72-3-3　 AlGaInP-basedLED磊晶成長中的 n-type和p-type摻雜 2-12第3章　發光二極體金屬化製作技術3-1　前言 3-23-2　LED晶粒製程說明 3-43-2-1　常用製程技術簡介 3-53-2-2　晶粒前段製程 3-93-2-3　晶粒後段製程 3-223-2-4　晶粒檢驗方法 3-323-3　高功率LED晶粒之製程趨勢 3-333-3-1　高功率LED晶粒之發展方向 3-333-3-2　高功率LED晶粒的散熱考量 3-36第4章　紫外光及藍光發光二極體激發之螢光粉介紹4-1　前言 4-24-2　螢光材料之組成 4-24-3　影響螢光材料發光效率之因素與定則 4-54-3-1　主體晶格效應(hosteffect) 4-54-3-2　濃度淬滅效應(concentrationquenchingeffect) 4-64-3-3　熱淬息(thermalquenching) 4-64-3-4　斯托克位移(Stokesshift)與卡薩定則 (Kasharule) 4-74-3-5　法蘭克-康頓原理(Franck-Condon principle) 4-84-3-6　能量傳遞(energytransfer) 4-104-4　螢光粉類概述 4-114-4-1　鋁酸鹽系列螢光粉 4-124-4-2　矽酸鹽系列螢光粉 4-164-4-3　磷酸鹽系列螢光粉 4-214-4-4　含硫系列螢光粉 4-294-4-5　其它LED用之螢光粉 4-34第5章　氮及氮氧化物螢光粉製作技術5-1　前言 5-25-2　氮化物的分類和結晶化學 5-45-2-1　氮化物的分類 5-45-2-2　氮化物之結晶化學 5-55-3　氧氮化物／氮化物螢光粉的晶體結構和發光特性 5-65-3-1　氧氮化物藍色螢光粉 5-65-3-2　氧氮化物綠色螢光粉 5-135-3-3　氧氮化物黃色螢光粉 5-195-3-4　氮化物紅色螢光粉 5-215-4　氧氮化物／氮化物螢光粉的合成 5-265-4-1高氮氣壓熱壓燒結法(高溫固相反應法) 5-265-4-2　氣體還原氮化法 5-275-4-3　炭熱還原氮化法 5-295-4-4　其他方法 5-315-5　氧氮化物／氮化物螢光粉在白光LED中的應用 5-315-5-1　藍色LED+-sialon黃色螢光粉 5-325-5-2　藍色LED+綠色螢光粉+紅色螢光粉 5-335-5-3　近紫外LED+藍色螢光粉+綠色螢光粉+ 紅色螢光粉 5-33第6章　發光二極體封裝材料介紹及趨勢探討6-1　前言 6-26-2　LED封裝方式介紹 6-36-2-1　灌注式(casting)封裝 6-36-2-2　低壓移送成型(transfermolding)封裝 6-66-2-3　其他封裝方式 6-116-3　環氧樹脂封裝材料介紹 6-126-3-1　液態封裝材料 6-136-3-2　固體環氧樹脂封裝材料介紹 6-206-4　環氧樹脂封裝材料特性說明 6-206-5　環氧樹脂紫外光劣化問題 6-266-6　Silicone(矽膠)樹脂封裝材料 6-276-7　LED用封裝材料發展趨勢 6-306-8　環氧樹脂封裝材料紫外光劣化改善 6-326-9　封裝材料散熱設計 6-356-10　無鉛焊錫封裝材耐熱性要求 6-376-11　高折射率封裝材料 6-386-12　Silicone樹脂封裝材料發展 6-39第7章　發光二極體封裝基板及散熱技術7-1　前言 7-27-2　LED封裝的熱管理挑戰 7-27-3　常見LED封裝基板材料 7-57-3-1　印刷電路基板(PCB) 7-87-3-2　金屬芯印刷電路基板(MCPCB) 7-97-3-3　陶瓷基板(ceramicsubstrate) 7-137-3-4　直接銅接合基板(directcopperbondedsubstrate) 7-157-4　先進LED複合基板材料 7-167-5　LED散熱技術 7-207-5-1　熱管 7-297-5-2　平板熱管(vaporchamber) 7-337-5-3　迴路式熱管(loopheatpipe) 7-34第8章　白光發光二極體封裝與應用8-1　白光LED的應用前景 8-28-1-1　特殊場所的應用 8-38-1-2　交通工具中應用 8-58-1-3　公共場所照明 8-78-1-4　家庭用燈 8-98-2　白光LED的挑戰 8-108-2-1　白光LED效率的提高 8-108-2-2　高顯色指數的白光LED 8-118-2-3　大功率白光LED的散熱解決 8-128-2-4　光學設計 8-128-2-5　電學設計 8-138-3　白光LED的光學和散熱設計的解決方案 8-138-3-1　光學設計 8-148-3-2　散熱的解決 8-188-3-3　矽膠材料對於光學設計和熱管理重要性 8-218-4　白光LED的封裝流程及封裝形式 8-248-4-1　直插式小功率草帽型白光LED的封裝 流程包括以下的步驟 8-248-4-2　功率型白光LED的封裝流程 8-258-5　白光LED封裝類型 8-278-5-1　引腳式封裝 8-278-5-2　數碼管式的封裝 8-288-5-3　表面貼裝封裝 8-308-5-4　功率型封裝 8-318-6　超大功率大模組的解決方案 8-348-6-1　傳統正裝晶片實現的模組 8-348-6-2　用單電極晶片實現的模組 8-358-6-3　用倒裝焊方法實現的模組 8-358-6-4　封裝良率的提升 8-368-6-5　散熱的優勢 8-378-6-6　封裝流程的簡化 8-378-6-7　長期使用可靠性的提高 8-38第9章　高功率發光二極體封裝技術及應用9-1　高功率LED封裝技術現況及應用 9-29-1-1　單顆LED晶片之封裝模組與產品 9-39-1-2　多顆LED晶粒封裝模組 9-129-2　高功率LED光學封裝技術探析 9-189-2-1　LED之光學設計 9-189-2-2　白光LED之色彩封裝技術 9-209-2-3　LED用透明封裝材料現況 9-219-2-4　LED用透明封裝材料未來趨勢 9-269-3　高功率LED散熱封裝技術探析 9-319-3-1　LED整體散熱能力之評估 9-319-3-2　散熱設計 9-34

第1章　氮化物發光二極體磊晶製作技術1-1　前言 1-21-2　MOCVD的化學反應 1-41-3　基板 1-61-4　GaN材料 1-81-5　p-GaN材料 1-101-6　氮化銦鎵／氮化鎵(InGaN/GaN)材料 1-12第2章　高亮度AlGaInP四元化合物發光二極體磊晶製作技術2-1　前言 2-22-2　化合物半導體材料系統 2-22-3　AlGaInP的磊晶成長 2-62-3-1　 前趨物(precursors)的選擇 2-62-3-2　 AlGaInP的MOCVD磊晶成長條件 2-72-3-3　 AlGaInP-basedLED磊晶成長中的 n-type和p-type摻雜 2-12第3章　發光二極體金屬化製作技術3-1　前言 3-23-2　LED晶粒製程說明 3-43-2-1　常用製程技...