第7章　半導體元件與模型7.1半導體物理概述27.2二極體元件177.3雙極性電晶體(BipolarJunctionTransistor,BJT)267.4異質接面雙極性電晶體(HetrojunctionBipolarTransistor,HBT)327.5接面場效電晶體(JunctionFieldEffectTransistor,JFET)357.6金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)377.7金半場效電晶體(Metal-SemiconductorFieldEffectTransistor,MESFET)427.8高速電子移動電晶體(HighElectronMobilityTransistor,HEMT)437.9半導體參數測試及元件特性分析477.10微波元件特性及模型49第8章　射頻放大器8.1混成射頻放大器與單晶射頻放大器668.2輸出與輸入功率的比值-增益698.3訊號波流理論(SignalFlowTheory)738.4穩定度分析838.5消除不穩定的方法918.6直流偏壓電路1038.7單向增益匹配1088.8雙向增益匹配1118.9功率匹配1158.10雜訊匹配1198.11設計實例125第9章　功率放大器與線性化技術9.1功率放大器特性之概述1489.2功率放大器之類別1509.3克里普斯(Cripps)負載線法1669.4負載拉挽方法(Load-PullingMethod)1759.5回饋線性化技術1779.6前饋線性化(FeedforwardLinearization)技術1849.7前置失真技術(Pre-Distortion)1869.8封包消弭與回復技術(EnvelopeEliminationandRestoration)1889.9功率放大器設計實例189第10章　振盪器10.1簡介20010.2形成振盪的必要條件-小訊號負電阻分析法20210.3形成振盪的必要條件-小訊號迴授分析法20610.4形成振盪的必要條件-小訊號S參數分析法21110.5形成振盪的充份且必要條件-根軌跡法21510.6形成振盪的充份且必要條件-阻抗軌跡法21910.7穩定振盪功率-大訊號Y參數分析法22610.8穩定振盪功率-大訊號S參數分析法23010.9負載拉挽效應23310.10注入鎖定效應23610.11評估振盪器效能之各項參數23810.12設計實例241第11章　混頻器11.1混頻器之發展與效能參數26011.2單端二極體混頻器26411.3單平衡二極體混頻器27511.4雙平衡二極體混頻器29411.5單閘極MESFET混頻器30211.6雙閘極MESFET混頻器30611.7平衡型MESFET混頻器30811.8電阻型MESFET混頻器31211.9單端MOSFET混頻器31611.10平衡型MOSFET混頻器31811.11電阻型MOSFET混頻器33011.12平衡型BJT混頻器33211.13次諧波驅動混頻器33311.14鏡像拒斥降頻器33611.15單邊帶升頻器339A　索引

第7章　半導體元件與模型7.1半導體物理概述27.2二極體元件177.3雙極性電晶體(BipolarJunctionTransistor,BJT)267.4異質接面雙極性電晶體(HetrojunctionBipolarTransistor,HBT)327.5接面場效電晶體(JunctionFieldEffectTransistor,JFET)357.6金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)377.7金半場效電晶體(Metal-SemiconductorFieldEffectTransistor,MESFET)427.8高速電子移動電晶體(HighElectronMobilityTransistor,HEMT)437.9半導體參數測試及元件特性分析477.10微波元件特性及模型49第8章　射頻放大器8....