第1章　諸論-低溫複晶矽的世代1.1　前　言1-11.2　平面顯示器之分類1-11.3　低溫複晶矽開發歷史1-41.4　低溫複晶矽之優勢1-61.4.1　高解析度與高開口率1-81.4.2　電磁干擾1-111.4.3　周邊驅動IC1-121.4.4　低功率消耗1-161.4.5　窄框化與高積集度1-17第2章　低溫複晶矽特性與結構2.1　前　言2-12.2　LTPS薄膜電晶體之特性2-12.2.1　特性曲線2-22.2.2　等效載子移動率2-32.2.3　臨界電壓2-52.2.4　次臨界擺幅2-72.2.5　漏電流2-72.3　低溫複晶矽畫素之結構2-102.3.1　八道光罩之下部閘極流程2-152.3.2　九道光罩之上部閘極流程2-172.3.3　五道光罩之上部閘極流程2-202.3.4　內建電路架構2-22第3章　低溫複晶矽之可靠度3.1　前　言3-13.2　LTPS元件可靠度3-13.2.1　熱載子效應3-23.2.2　動態可靠度測試3-43.2.3　短通道效應3-63.2.4　窄寬度效應3-83.2.5　駝峰效應3-93.2.6　扭曲效應3-113.2.7　自發熱效應3-133.2.8　低頻雜訊特性3-163.2.9　輻射效應3-183.3　LTPS陣列可靠度3-203.3.1　靜電放電傷害3-203.3.2　環境與製程之ESD防護3-233.3.3　陣列與內建電路之防護3-233.4　陣列測試3-273.4.1　接觸式測試3-283.4.2　非接觸式測試3-303.4.3　陣列修補3-31第4章　LTPS氧化層技術4.1　前　言4-14.2　玻璃基板4-14.2.1　玻璃種類4-44.2.2　玻璃特性4-64.3　緩衝層4-104.4　閘極界電層4-134.4.1　氧化矽層4-134.4.2　氮化矽層4-164.4.3　其他閘極氧化層4-174.4.4　表面粗糙度4-194.4.5　潔淨技術4-214.5　層間界電層4-234.5.1　上部透明導電電極結構4-244.5.2　平坦化製程4-264.5.3　氫化製程4-31第5章　LTPS複晶矽成膜技術5.1　前　言5-15.2　直接沈積型複晶矽5-25.2.1　觸媒式化學氣相沈積5-45.2.2　矽濺鍍製程5-55.3　再結晶型複晶矽5-65.3.1　固相結晶5-65.3.2　金屬引發側向結晶法5-75.3.3　準分子雷射結晶5-105.4　雷射結晶系統5-135.4.1　準分子雷射源5-145.4.2　光學與基板承載系統5-145.5　複晶矽成膜機制5-155.5.1　部份融熔區5-175.5.2　接近完全融熔區5-195.5.3　完全融熔區5-195.6　結晶品質提升5-195.6.1　重疊照射5-205.6.2　非晶矽厚度5-225.6.3　抗反射層5-235.6.4　結晶氣份與溫度5-235.6.5　分析工具5-245.7　下一代複晶矽技術5-275.7.1　循序性側向結晶5-285.7.2　固態雷射結晶5-295.7.3　連續波雷射橫向結晶5-335.7.4　選擇性擴大雷射結晶5-345.7.5　連續矽晶界5-35第6章　LTPS離子植入技術6.1　前　言6-16.2　顯示器用植入系統6-16.2.1　質量分析式離子植入6-26.2.2　離子雲式植入機6-46.2.3　電漿植入與固態擴散式6-66.3　汲極與源極端摻雜6-76.3.1　氫含量因素6-116.3.2　反極性植入6-146.3.3　交互污染6-146.3.4　光阻碳化效應6-146.4　輕摻雜汲極端6-166.4.1　高能量植入6-216.4.2　低電流植入6-216.5　通道摻雜6-226.6　離子活化製程6-246.6.1　雷射活化法6-256.6.2　快速加熱活化法6-286.6.3　高溫熱爐管活化法與自我活化法6-30第7章　低溫複晶矽面板開發現況7.1　前　言7-17.2　日本低溫複晶矽之開發7-17.2.1　東芝(Toshiba)7-27.2.2　松下(Matsushita)7-67.2.3　三洋(Sanyo)7-97.2.4　新力(Sony)7-137.2.5　夏普(Sharp)7-177.2.6　精工愛普生(Seiko-Epson)7-207.2.7　富士通(Fujitsu)7-227.2.8　日立(Hitachi)7-267.2.9　日本電器(NEC)7-287.2.10　三菱(Mitsubishi)7-317.3　韓國低溫複晶矽之開發7-347.3.1　LG-Philips7-347.3.2　Samsung7-387.4　台灣低溫複晶矽之開發7-41第8章　低耗電顯示技術8.1　前　言8-18.2　功率消耗8-18.3　薄膜二極體顯示器8-28.3.1　MIM二極體的原理與結構8-38.3.2　TFD二極體的原理與結構8-68.3.3　二極體面板的驅動方式8-98.4　反射式液晶顯示器8-118.4.1　反射板設計8-128.4.2　外部補償設計8-148.4.3　其他反射式顯示面板8-158.5　半透式液晶顯示器8-168.5.1　比例設計8-168.5.2　彩色濾光片設計8-178.5.3　背光與組裝模組8-208.6　省電設計8-238.6.1　內藏SRAM8-258.6.2　內藏DRAM8-28第9章　大面積低溫複晶矽之挑戰9.1　前　言9-19.2　大面積玻璃基板9-19.2.1　電阻-電容時間延遲9-49.2.2　無接縫技術9-69.3　前段陣列製程9-79.3.1　低阻值導線技術9-89.3.2　微影製程9-119.3.3　蝕刻製程9-149.4　後段液晶模組9-179.4.1　液晶滴下法9-179.4.2　整合式黑色矩陣9-179.4.3　整合式間隔體9-189.4.4　整合式彩色濾光片9-209.4.5　背光模組9-269.4.6　廣視角9-279.5　畫面驅動系統9-289.5.1　Overdrive驅動9-299.5.2　背光源驅動9-319.6　大面積主動式平面影像感測器9-319.6.1　數位X光攝像技術9-349.6.2　間接式檢測9-359.6.3　直接式檢測9-379.6.4　訊號儲存與讀取電路9-38第10章　主動式有機電激發光顯示技術10.1　前　言10-110.2　AMOEL的歷史10-110.3　AMOEL驅動方式10-310.3.1　被動式OEL10-410.3.2　低溫複晶矽AMOEL10-610.3.3　非晶矽AMOEL10-710.3.4　單晶矽AMOEL10-810.4　AMOEL彩色化與製造流程10-910.4.1　熱蒸鍍法10-1010.4.2　旋轉塗佈法10-1410.4.3　噴墨印刷法10-1410.4.4　彩色濾光片10-1610.4.5　色轉換法10-1610.5　陰陽電極特性10-1710.5.1　陽極材質10-1810.5.2　表面處理10-2010.5.3　底層表面形態10-2210.6　OEL面板可靠性10-2210.6.1　封裝技術10-2310.6.2　乾燥材質10-2410.7　有機發光二極體驅動設計10-2510.7.1　下部發光型畫素10-2610.7.2　上部發光型畫素10-2910.7.3　類比驅動設計10-3110.7.4　數位驅動設計10-34第11章　可撓曲低溫複晶矽顯示技術11.1　前　言11-111.2　玻璃基板之限制11-111.2.1　塑膠基板特性11-211.2.2　基板形變11-511.2.3　可撓曲之顯示媒介11-711.3　可撓曲主動元件11-911.3.1　薄膜二極體11-1111.3.2　非晶矽電晶體11-1111.3.3　有機薄膜電晶體11-1311.4　可撓曲之低溫複晶矽11-1511.4.1　低溫緩衝層11-1711.4.2　複晶矽形成11-1911.4.3　低溫氧化層11-2211.4.4　離子植入與活化11-2411.4.5　低溫透明導電電極11-2611.5　塑膠基板轉貼技術11-3011.5.1　SUFTLA轉貼技術11-3011.5.2　基板蝕刻與塑膠貼合技術11-3211.5.3　流動式自行組裝11-33第12章　低溫複晶矽的未來12.1　低溫複晶矽技術藍圖12-112.2　低溫複晶矽之挑戰12-412.3　結　語12-6附錄

第1章　諸論-低溫複晶矽的世代1.1　前　言1-11.2　平面顯示器之分類1-11.3　低溫複晶矽開發歷史1-41.4　低溫複晶矽之優勢1-61.4.1　高解析度與高開口率1-81.4.2　電磁干擾1-111.4.3　周邊驅動IC1-121.4.4　低功率消耗1-161.4.5　窄框化與高積集度1-17第2章　低溫複晶矽特性與結構2.1　前　言2-12.2　LTPS薄膜電晶體之特性2-12.2.1　特性曲線2-22.2.2　等效載子移動率2-32.2.3　臨界電壓2-52.2.4　次臨界擺幅2-72.2.5　漏電流2-72.3　低溫複晶矽畫素之結構2-102.3.1　八道光罩之下部閘極流程2-152.3.2　九道光罩之上部閘極流程2-172.3.3　五...